Verfahren zum Aufbringen einer Struktur aus Fügematerial auf die Rückseiten von Halbleiterchips

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbringen einer Struktur (1) aus Fügematerial (2) auf die Rückseiten (3) von Halbleiterchips (4) in der Halbleiterbauteilfertigung. Dazu wird das Fügematerial (2) mit einem Fügematerialstrahlgerät (10) strukturiert und fein dosiert auf die Rückseiten (3) der Halbleiterchips (4) eines in Halbleiterchips (4) getrennten Halbleiterwafers (15) aufgebracht. Schließlich wird eine Struktur aus einem zweiten Fügematerial (12) auf das erste Fügematerial (2) unter Freilassen von Bereichen, die Kontaktflächen (11) auf der Oberseite (9) der Halbleiterchips (4) gegenüberliegen, aufgebracht, wobei das zweite Fügematerial (12) zu Abstandshaltern (13) und/oder als Ausgleichsschicht zum Ausgleich von Verwölbungen eines Halbleiterchips strukturiert wird.

Claims

Description

Topics

    Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

    Patent Citations (5)

      Publication numberPublication dateAssigneeTitle
      DE-102004009742-A1September 29, 2005Infineon Technologies AgRückseitenbeschichteter, dünner Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung
      GB-2404280-AJanuary 26, 2005Xsil Technology LtdWafer singulation and die bonding
      US-2002037631-A1March 28, 2002Kabushiki Kaisha ShinkawaMethod for manufacturing semiconductor devices
      US-2003022465-A1January 30, 2003Wachtler Kurt P.Method of separating semiconductor dies from a wafer
      US-2003038355-A1February 27, 2003Derderian James M.Semiconductor devices and semiconductor device assemblies including a nonconfluent spacer layer

    NO-Patent Citations (0)

      Title

    Cited By (0)

      Publication numberPublication dateAssigneeTitle